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應(yīng)用領(lǐng)域

FET詳解,MOSFET結(jié)構(gòu)原理,場(chǎng)效應(yīng)管作用-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2025-06-25 

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FET詳解,MOSFET結(jié)構(gòu)原理,場(chǎng)效應(yīng)管作用-KIA MOS管


FET簡(jiǎn)介

FET即FieldEffectTransistor,場(chǎng)效應(yīng)晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件),有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極,柵極,漏極,源極。


FET原理

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管不同,它是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件),其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小,越來(lái)越多的電子電路都在使用場(chǎng)效應(yīng)管,特別是在音響領(lǐng)域。場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)如圖。

FET,MOSFET,場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管是一種單極型晶體管,它只有一個(gè)P-N結(jié),在零偏壓的狀態(tài)下,它是導(dǎo)通的,如果在其柵極(G)和源極(S)之間加上一個(gè)反向偏壓(稱柵極偏壓)在反向電場(chǎng)作用下P-N變厚(稱耗盡區(qū))溝道變窄,其漏極電流將變小,(如圖C1-b),反向偏壓達(dá)到一定時(shí),耗盡區(qū)將完全溝道“夾斷“,此時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)如圖C-c,此時(shí)的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓,用Vpo表示,它與柵極電壓Vgs和漏源電壓Vds之間可近以表示為Vpo=Vps+|Vgs|,這里|Vgs|是Vgs的絕對(duì)值。


FET結(jié)構(gòu)

下圖是FET簡(jiǎn)單的的結(jié)構(gòu)示意圖(P溝FET是P型半導(dǎo)體部分與N型半導(dǎo)體部分互換)。

FET,MOSFET,場(chǎng)效應(yīng)管

雙極晶體管的基極發(fā)射極間以及基極集電極間分別是兩個(gè)PN結(jié),就是說(shuō)存在著二極管。JFET的柵極與溝道(把輸出電路流過(guò)漏極源極間的部分稱為溝道)間有PN結(jié),所以認(rèn)為存在著二極管(由于有PN結(jié),所以稱為結(jié)型FET)。


FET分類

如圖所示,F(xiàn)ET按照結(jié)構(gòu)可以分為結(jié)型FET(JFET:JunctionFET)和絕緣柵FET(MOSFET:MetalOxideSemiconductorFET)。

FET,MOSFET,場(chǎng)效應(yīng)管

按照電學(xué)特性,MOSFET又可以分為耗盡型(deletion)與增強(qiáng)型(enhancement)兩類。它們又可以進(jìn)一步分為N溝型(與雙極晶體管的NPN型相當(dāng))和P溝型(與雙極晶體管的PNP型相當(dāng))。從實(shí)際FET的型號(hào)中完全看不出JFET與MOSFET、耗盡型與增強(qiáng)型的區(qū)別。僅僅是N溝器件為2SK×××(也有雙柵的3SK×××),P溝器件為2SJ×××,以區(qū)別N溝和P溝器件。


極性判斷

1.結(jié)型場(chǎng)效管的判別

將萬(wàn)用表置于RXlk檔,用黑表筆接觸假定為柵極G管腳,然后用紅表筆分別接觸另兩個(gè)管腳。若阻值均比較小(約5'--10歐),再將紅、黑表筆交換測(cè)量一次。如阻值均很大,屬N溝道管,且黑表接觸的管腳為柵極G,說(shuō)明原先的假定是正確的。同樣也可以判別出P溝道的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。


2.金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管的判別

(1)柵極G的判定

用萬(wàn)用表Rxl00擋,測(cè)量功率場(chǎng)效應(yīng)管任意兩引腳之間的正、反向電阻值,其中一次測(cè)量中兩引腳電阻值為數(shù)百歐姆,這時(shí)兩表筆所接的引腳是D極與S極,則另一引腳未接表筆為G極。


(2)漏極D、源極S及類型的判定

用萬(wàn)用表RxlokD,擋測(cè)量D極與S極之間正、反向電阻值,正向電阻值約為0.2x10kfl,反向電阻值在(5—∞)x10kfl。在測(cè)反向電阻時(shí),紅表筆所接引腳不變,黑表筆脫離所接引腳后,與G極觸碰一下,然后黑表筆去接原引腳,此時(shí)會(huì)出現(xiàn)兩種可能:


若萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)較大阻值變?yōu)榱悖瑒t此時(shí)紅表筆所接為S極,黑表筆所接為D極。用黑表筆觸發(fā)G極有效(使功率場(chǎng)效應(yīng)管D極與S極之間正、反向電阻值均為012),則該場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道型。


若萬(wàn)用表讀數(shù)仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變,改用紅表筆去觸碰G極,然后紅表筆接回原引腳,此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)由原采阻值較大變?yōu)?,則此時(shí)黑表筆所接為S極,紅表筆所接為D極。用紅表筆觸發(fā)G,極有效,該場(chǎng)效應(yīng)管為P溝道型。


場(chǎng)效應(yīng)管的作用

1.信號(hào)放大。場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)柵極電壓控制源漏極電流,實(shí)現(xiàn)電信號(hào)放大。其高輸入阻抗(10?~1012Ω)和低噪聲特性,使其特別適用于高頻放大器(如射頻、音頻電路)及低噪聲前置放大設(shè)計(jì)。


2.電子開(kāi)關(guān)。在數(shù)字電路和電源管理中,場(chǎng)效應(yīng)管可快速切換導(dǎo)通狀態(tài),實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)功能。


例如:電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,通過(guò)MOSFET控制大功率負(fù)載;邏輯門(mén)電路,構(gòu)建與非門(mén)(NAND)、或門(mén)(OR)等數(shù)字邏輯系統(tǒng)。


3.電壓控制與阻抗匹配。通過(guò)調(diào)節(jié)柵極電壓精確控制漏極電流,用于電源穩(wěn)壓器、電壓調(diào)節(jié)器等模擬電路;作為緩沖器連接高阻抗信號(hào)源與低阻抗負(fù)載,改善高頻信號(hào)傳輸質(zhì)量。


場(chǎng)效應(yīng)管的作用包括信號(hào)放大、電子開(kāi)關(guān)、電壓控制和阻抗變換,廣泛應(yīng)用于放大器、開(kāi)關(guān)電路、電源管理及高頻信號(hào)處理等領(lǐng)域。


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