充電器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A場效應(yīng)管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-15
KCY2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流190A，采用SGT-MOSFET技術(shù)，專有新型溝槽工藝制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；快速切換能力，確保應(yīng)用高效率、低損耗，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于交流直流快速充電器、同步整流及電池管理中，性能優(yōu)越；封裝形式：DFN5*6，雙面散熱出色、降低占用空間。
漏源電壓：80V
漏極電流：190A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：750A
雪崩能量單脈沖：880MJ
最大功耗：227W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：105nC
輸入電容：6670PF
輸出電容：1020PF
反向傳輸電容：54PF
開通延遲時(shí)間：30nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：65nS
上升時(shí)間：20ns
下降時(shí)間：18ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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