60R180場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低...60R180場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 160mΩ，低柵極電荷Qg=33.5nC，減少開關(guān)損耗，提高效率；具備高...
監(jiān)控系統(tǒng)的充電模塊常采用MOS管實(shí)現(xiàn)電流控制，通過調(diào)節(jié)柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)，...監(jiān)控系統(tǒng)的充電模塊常采用MOS管實(shí)現(xiàn)電流控制，通過調(diào)節(jié)柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)快速充放電管理。 在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，MOS管常用于雙向電平轉(zhuǎn)換電路，例如將3.3...
78l05三端穩(wěn)壓器具有輸出電流高達(dá)100mA，無需外部部件、熱過載關(guān)機(jī)保護(hù)、短路電...78l05三端穩(wěn)壓器具有輸出電流高達(dá)100mA，無需外部部件、熱過載關(guān)機(jī)保護(hù)、短路電流限制等特性。KIA78L05是單片固定電壓調(diào)節(jié)器集成電路，適用于需要高達(dá)100mA供電的...
KCT1704A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流260A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)、?專有...KCT1704A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流260A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)、?專有高密度溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.1mΩ，低柵極電荷減少開關(guān)損耗，提高...
電壓轉(zhuǎn)電流電路（V/轉(zhuǎn)換電路）通過負(fù)反饋機(jī)制將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)，原理基...電壓轉(zhuǎn)電流電路（V/轉(zhuǎn)換電路）通過負(fù)反饋機(jī)制將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)，原理基于歐姆定律，通過調(diào)節(jié)電路參數(shù)實(shí)現(xiàn)電壓與電流的線性轉(zhuǎn)換。 采用深度負(fù)反饋放大電路...
肖特基勢壘二極管（SBD），屬于金屬-半導(dǎo)體結(jié)電子器件，由金屬層（金/鉬/鎳/鈦...肖特基勢壘二極管（SBD），屬于金屬-半導(dǎo)體結(jié)電子器件，由金屬層（金/鉬/鎳/鈦等）與N型半導(dǎo)體（硅/砷化鎵）形成肖特基勢壘接觸。
